આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વિદ્યુત વહન કેવી રીતે ઉત્પન્ન થાય છે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

$N-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર કેવો હોય છે?

જો $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે (ડોપિંગ),અને સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \, \text{atoms}/\text{m}^3$ હોય,તો એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $\text{atoms}/\text{cm}^3$ માં શોધો.

જો જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો:

અર્ધવાહકમાં વહેતા કુલ વિદ્યુતપ્રવાહમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનો ફાળો અનુક્રમે $\frac{3}{4}$ અને $\frac{1}{4}$ છે. જો આ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનનો ડ્રિફ્ટ વેગ હોલના ડ્રિફ્ટ વેગ કરતા $\frac{5}{2}$ ગણો હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?